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J-GLOBAL ID：200903003622289002

表面処理方法及び表面処理装置

Inventor： 徳田 光雄 ,  恒川 助芳 ,  小泉 浩太郎 ,  木村 剛 ,  宮下 恒
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264510
Publication number (International publication number)：1995122537
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】処理速度を向上させた表面処理装置を提供すること。【構成】オゾン等の反応性ガスを励起して活性種を発生させる光を発するための紫外線ランプ6と、反応性ガスを含む気体が導入される入口を有する励起室4と、紫外線ランプ6が発した光により、反応性ガスが活性化されて生成した活性種によって表面処理が行われるウェーハ1を保持するためのステージ3を内部に配置した処理室2とから構成した表面処理装置。紫外線ランプ6と励起室4の内壁との隙間は、20mm以下とする。

Claim (excerpt)：

反応性ガスを含む気体を光源の表面及び近傍に導き、光源が発した光を反応性ガスの分子に照射して反応性ガスを活性化して活性種を生成し、活性種を被処理物の表面に接触させて表面処理を行うことを特徴とする表面処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 Z