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J-GLOBAL ID：200903003626597160

半導体光素子

Inventor： 皆川 重量 ,  赤松 正一 ,  河田 雅彦 ,  後藤 順
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996142590
Publication number (International publication number)：1997326508
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 窒化物半導体デバイスのp電極の低接触抵抗化。【解決手段】 炭素添加AlNの薄層またはこれを含む超格子層をp側金属電極の近傍に設ける。【効果】 正孔がAlN層から隣接する結晶層に移動してこれらの層の正孔濃度を高め、もって低接触抵抗を実現する。

Claim (excerpt)：

発光層を有する第1半導体領域と、該第1半導体領域上に積層された複数の半導体層からなる第2半導体領域と、該第2半導体領域上に接合された金属電極層とを含み、上記第1半導体領域及び第2半導体領域はIII-V族化合物半導体により形成され、該第2半導体領域は少なくともAl、Nを含む第1半導体層と、該第1半導体層よりAl組成比の低い第2半導体層からなり、且つ該第1半導体層にはCが添加されていることを特徴とする半導体発光素子。