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J-GLOBAL ID：200903003630393692

AlGaAs系化合物半導体層用エッチング液、エッチング方法および半導体基板

Inventor： 小池 佳代 ,  望月 多恵 ,  藤井 克司
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003430905
Publication number (International publication number)：2005191285
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

【課題】 エッチング層が酸化されにくく、かつエッチングにより段差を形成する場合においても、形状やエッチング幅の制御が容易であるAlGaAs系化合物半導体層用のエッチング液、エッチング方法および段差を有する半導体基板の提供。【解決手段】 フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなり、AlxGa1-xAs(0≦x<0.45)からなる第1の化合物半導体層と、AlxGa1-xAs(0.45≦x≦1)からなる第2の化合物半導体層とを有するAlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層の前記第2の化合物半導体層を選択的にエッチングする。【選択図】 なし

Claim 1：

フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなる、AlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層用エッチング液。

IPC (2)：

H01L21/308 ,  H01L33/00

FI (2)：

H01L21/308 C ,  H01L33/00 A

F-Term (9)：

5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F043AA03 ,  5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043BB07 ,  5F043BB10 ,  5F043FF05 ,  5F043GG05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331498   Applicant：松下電子工業株式会社