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J-GLOBAL ID:200903003630393692
AlGaAs系化合物半導体層用エッチング液、エッチング方法および半導体基板
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003430905
Publication number (International publication number):2005191285
Application date: Dec. 25, 2003
Publication date: Jul. 14, 2005
Summary:
【課題】 エッチング層が酸化されにくく、かつエッチングにより段差を形成する場合においても、形状やエッチング幅の制御が容易であるAlGaAs系化合物半導体層用のエッチング液、エッチング方法および段差を有する半導体基板の提供。【解決手段】 フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなり、AlxGa1-xAs(0≦x<0.45)からなる第1の化合物半導体層と、AlxGa1-xAs(0.45≦x≦1)からなる第2の化合物半導体層とを有するAlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層の前記第2の化合物半導体層を選択的にエッチングする。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなる、AlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層用エッチング液。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/308 C
, H01L33/00 A
F-Term (9):
5F041CA36
, 5F041CA74
, 5F043AA03
, 5F043AA05
, 5F043BB06
, 5F043BB07
, 5F043BB10
, 5F043FF05
, 5F043GG05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-331498
Applicant:松下電子工業株式会社
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