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J-GLOBAL ID：200903003631979500

電解めっき装置及び電解めっき方法

Inventor： 下山 正
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (5)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004349068
Publication number (International publication number)：2006152421
Application date： Dec. 01, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：

【課題】 初期の表面状態やめっきの進行等によって分極曲線が変わっても、常に一定の膜質のめっき膜を安定して形成することができるようにする。【解決手段】 アノード134と、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極140と、導電層のカソード電位を参照電極140の電位を基準として制御するポテンショスタット144を有する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

アノードと、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極と、 前記導電層のカソード電位を前記参照電極の電位を基準として制御するポテンショスタットを有することを特徴とする電解めっき装置。

IPC (4)：

C25D 17/10 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 21/12

FI (4)：

C25D17/10 Z ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 K ,  C25D21/12 A

F-Term (9)：

4K024AA09 ,  4K024BB12 ,  4K024BC01 ,  4K024CA05 ,  4K024CB08 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024EA06 ,  4K024GA16