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J-GLOBAL ID：200903003632772763

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 荒井 千広
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193376
Publication number (International publication number)：1993275626
Application date： Jun. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 RIEなどによる加工を要する場合も、基板露出による例えばRIEダメージによる特性変動のおそれ等の問題を解決でき、かつベース幅のセルフアラインによる形成を可能とした横型バイポーラートランジスタ装置の製造方法の提供及び耐圧性を向上させた横型バイポーラートランジスタ装置の提供。【構成】 ?@半導体基板1に形成された不純物拡散領域により横型バイポーラートランジスタが構成されている半導体装置において、バイポーラートランジスタのベース部分BA上に絶縁材Mを有するもの。?A半導体基板1に不純物拡散領域を形成して横型バイポーラートランジスタを形成する半導体装置の製造方法において、バイポーラートランジスタの形成部分、又はそのベース部分BAを形成すべき部分に対応する基板部分上にマスクM,P1を形成し、その後不純物注入を行う方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された不純物拡散領域により横型バイポーラートランジスタが構成されている半導体装置において、バイポーラートランジスタのベース部分上に絶縁材を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 L