半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078781
Publication number (International publication number)：1999274100
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】平坦化膜としてBPSG膜を採用し、ここにコンタクトホールを形成すると、不純物濃度の分布によりコンタクトホールにひさしができ、Ti/TiN/Wプラグではボルケーノが発生し、Ti/TiN/Al配線ではステップカバレージが悪化する。【解決手段】半導体基板21には拡散領域22が形成され、この上にはゲート絶縁膜、TEOS膜、BPSG膜等が積層され、このBPSG膜24の上に更に不純物注入阻止膜25を形成する。一般に拡散領域22のコンタクト抵抗の低減を目的として、コンタクトホール26にイオンを注入するが、この不純物注入阻止膜25は、この不純物が下のBPSG膜に到達することを阻止し、且つBPSG膜のエッチングレートよりも早い材質にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された拡散領域上の絶縁膜上に形成されたコンタクトホールであり、コンタクトホール内の表面および前記半導体基板の表面に、Ti、TiNが順に形成され、この上にWまたはAlが埋め込まれて成る半導体装置において、前記コンタクトホールを囲む絶縁膜は、絶縁膜の平坦化を主目的としてBPSG膜が被覆され、このBPSG膜の表面には、前記拡散領域のコンタクト抵抗を下げるために注入される不純物がBPSG膜に注入されないように不純物注入阻止膜が設けられていることを特徴とした半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/768 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平3-266438
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-125677 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-163380 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (9)

特開平3-266438
特開平3-266438
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-125677 Applicant：日本電気株式会社

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