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J-GLOBAL ID:200903003641161467

量子素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991270834
Publication number (International publication number):1993110010
Application date: Oct. 18, 1991
Publication date: Apr. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 量子細線に電荷を保持するメモリー素子を提供する。【構成】 量子細線にバイアスを印加するゲートを設け、記憶井戸の内部電位制御電極により井戸の電位を制御し電子の読み込み書き出しを行なう。【効果】 量子細線井戸に電荷を保持するメモリー素子が得られる。
Claim (excerpt):
量子細線に電界制御ゲートが設置され、前記ゲートを介して、量子細線の一方を電子の記憶井戸に、他方を電子の読み込み書き出し端子とし、前記記憶井戸に内部電位制御用電極を具備することを特徴とする量子素子。
IPC (3):
H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

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