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J-GLOBAL ID：200903003643483666

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

Inventor： 岡島 徳明 ,  榎元 香津子 ,  佐藤 辰雄
Applicant, Patent owner： 東芝ケミカル株式会社
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993255278
Publication number (International publication number)：1995090054
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 本発明は、(A)連鎖結合のメチレン基の水素原子をグリシジルオキシアリール基で置換したノボラック型エポキシ樹脂、(B)連鎖結合のメチレン基の水素原子をヒドロキシアリール基で置換したフェノール樹脂の硬化剤、(C)BAPP型ポリイミド樹脂および(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップが封止されてなる半導体封止装置である。【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、半田リフロー時などで半導体封止装置パッケージのクラックの発生がなくなる。

Claim (excerpt)：

(A)次の一般式で示されるエポキシ樹脂、【化1】(但し、式中R1 はCj H2j+1基を、R2 はCk H2k+1基を、R3 はCl H2l+1基を、R4 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 、l 、m 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(B)次の一般式で示される多官能フェノール樹脂、【化2】(但し、式中R5 はCj H2j+1基を、R6 はCk H2k+1基を、R7 はCl H2l+1基を、R8 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 、l 、m 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(C)次の一般式で示されるポリイミド樹脂および【化3】(但し、式中R9 はCl H2l+1基を、R10はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるl 、m は 0又は 1以上の整数を表す)(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (7)：

C08G 59/32 NHQ ,  C08G 59/40 NKG ,  C08G 59/62 NJS ,  C08L 63/00 NKA ,  C08L 63/00 NKT ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31