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J-GLOBAL ID：200903003646585621

気相成長方法及び気相成長方法による微粒子生成装置

Inventor： 佐藤 裕輔 ,  大嶺 俊光
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991278241
Publication number (International publication number)：1993090168
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 気相中における原料ガスの分解による粉の生成を抑制することにより、基板上に粉が付着するのを防止して高品質な薄膜を成長させることが可能な気相成長装置を提供することを目的としている。【構成】 反応炉1内の圧力を排気装置12で38Torrにし、ヒータ8で基板5を1000°Cに加熱して、回転駆動制御装置10で回転駆動装置9の回転駆動を制御し基板5を500rpm以上で高速回転させることにより、原料ガスの気相中における分解反応を抑制して、粉の発生を防止することができる。

Claim (excerpt)：

反応炉内に気相中において分解し易い原料ガスを供給し、前記反応炉内に配置した基板ホルダ上に載置され加熱手段により加熱される前記基板ホルダ上の基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記反応炉内の圧力を調整する圧力調整手段と、前記基板を回転させる回転駆動手段とを有し、前記圧力調整手段により前記反応炉内圧力を大気圧よりも低くなるように調整して、前記回転駆動手段により前記基板を少なくとも500rpm以上で回転させながら前記基板上に薄膜を気相成長させることを特徴とする気相成長方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-196544
  
• 特開平4-372120
  
• 特開昭61-242011