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J-GLOBAL ID：200903003647845619

超伝導デバイスの調整方法及びその調整装置

Inventor： 田中 厚志 ,  渦巻 拓也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994046089
Publication number (International publication number)：1995254734
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 超伝導デバイスの測定と調整加工とを冷却状態の同一環境で連続して行うことにより、周波数特性の調整を容易に行うと共に超伝導特性の劣化を防止することができる超伝導デバイスの調整方法及びその調整装置を提供する。【構成】 電極パターンが形成されたバンドパスフィルタ(超伝導デバイス)11を収容し、超伝導状態を実現する超伝導実現温度に保持する真空チャンバ(保持容器)12と、真空チャンバ12内のバンドパスフィルタ11の電気的特性を測定するネットワークアナライザ(測定手段)13と、真空チャンバ12に設けられたガラス窓(レーザ光入射口)17と、ガラス窓17から電極パターンに向けてレーザ光Lを照射するエキシマレーザ発振器(レーザ光照射手段)14とを有し、レーザ光Lの照射により電極パターンを加工して電気的特性を所望値に調整する。

Claim (excerpt)：

電極パターンが形成された超伝導デバイスを、超伝導状態を実現する超伝導実現温度に保持し、前記超伝導デバイスの電気的特性を測定する測定工程と、前記超伝導実現温度に保持したまま、前記超伝導デバイスにレーザ光を照射して前記電極パターンを加工し、前記電気的特性を所望値に調整する調整工程とを有することを特徴とする超伝導デバイスの調整方法。

IPC (3)：

H01L 39/24 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA ,  H01S 3/00