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J-GLOBAL ID：200903003648208035
位相シフトマスク及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241639
Publication number (International publication number)：1995098493
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】位相シフト層のウエットエッチング又はドライエッチングに対するストッパー層として充分な性能を持ち、高光透過率で低反射率であり且つ充分な導電性を有するストッパー層を備え、簡単な工程で、高精度で欠陥の少ないレベンソン型若しくはハーフトーン型の位相シフトマスクを得ることにある。【構成】透明基板1上に光不透過性若しくは光半透過性の遮光部4aと光透過部4bと位相シフト部3aと位相シフト用孔設部3bを備えた位相シフトマスクにおいて、少なくとも位相シフト部3aの下層に金属酸化物層又は/及び金属窒化物層からなる高光透過率で低反射率であり且つ充分な導電性を有するエッチングストッパー層2を備える位相シフトマスク及び製造方法。
Claim (excerpt)：
透明基板1上に位相シフト部3aと光透過孔設部3bとを備え、該位相シフト部3a上に光不透過性の遮光部4aを備えた位相シフトマスクにおいて、少なくとも前記位相シフト部3aと光透過孔設部3bとに亘って前記透明基板1上に金属酸化物層又は/及び金属窒化物層からなるエッチングストッパー層2を備えたことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Cited by examiner (7)
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