Pat
J-GLOBAL ID:200903003649976753

非晶質シリカ成形体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999079343
Publication number (International publication number):2000272932
Application date: Mar. 24, 1999
Publication date: Oct. 03, 2000
Summary:
【要約】【課題】 室温から200°C以下の温度範囲において、10-3S/cmより高いプロトン伝導度を有すると共に、化学耐久性が高く、高温でも膜強度等の低下が小さい、燃料電池や水素濃淡電池などに有用な材料を提供する。【解決手段】 五酸化リンを10モル%以上含み、50°Cでの電気伝導度が10mS/cm以上である非晶質シリカ成形体。
Claim (excerpt):
五酸化リンを10モル%以上含み、50°Cでの電気伝導度が10mS/cm以上である非晶質シリカ成形体。
IPC (4):
C03C 3/097 ,  C01B 33/152 ,  C03B 8/02 ,  C03B 19/06
FI (5):
C03C 3/097 ,  C01B 33/152 B ,  C03B 8/02 A ,  C03B 8/02 N ,  C03B 19/06 C
F-Term (75):
4G014AH02 ,  4G062AA12 ,  4G062BB01 ,  4G062CC01 ,  4G062CC05 ,  4G062CC10 ,  4G062DA06 ,  4G062DA07 ,  4G062DB01 ,  4G062DC01 ,  4G062DD04 ,  4G062DD05 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM23 ,  4G062NN25 ,  4G062NN33 ,  4G072AA25 ,  4G072BB15 ,  4G072CC10 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ47 ,  4G072MM36 ,  4G072PP17 ,  4G072QQ02 ,  4G072TT05 ,  4G072TT19 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30

Return to Previous Page