Pat
J-GLOBAL ID:200903003649976753
非晶質シリカ成形体及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999079343
Publication number (International publication number):2000272932
Application date: Mar. 24, 1999
Publication date: Oct. 03, 2000
Summary:
【要約】【課題】 室温から200°C以下の温度範囲において、10-3S/cmより高いプロトン伝導度を有すると共に、化学耐久性が高く、高温でも膜強度等の低下が小さい、燃料電池や水素濃淡電池などに有用な材料を提供する。【解決手段】 五酸化リンを10モル%以上含み、50°Cでの電気伝導度が10mS/cm以上である非晶質シリカ成形体。
Claim (excerpt):
五酸化リンを10モル%以上含み、50°Cでの電気伝導度が10mS/cm以上である非晶質シリカ成形体。
IPC (4):
C03C 3/097
, C01B 33/152
, C03B 8/02
, C03B 19/06
FI (5):
C03C 3/097
, C01B 33/152 B
, C03B 8/02 A
, C03B 8/02 N
, C03B 19/06 C
F-Term (75):
4G014AH02
, 4G062AA12
, 4G062BB01
, 4G062CC01
, 4G062CC05
, 4G062CC10
, 4G062DA06
, 4G062DA07
, 4G062DB01
, 4G062DC01
, 4G062DD04
, 4G062DD05
, 4G062DE01
, 4G062DF01
, 4G062EA01
, 4G062EA10
, 4G062EB01
, 4G062EC01
, 4G062ED01
, 4G062EE01
, 4G062EF01
, 4G062EG01
, 4G062FA01
, 4G062FA10
, 4G062FB01
, 4G062FC01
, 4G062FD01
, 4G062FE01
, 4G062FF01
, 4G062FH01
, 4G062FJ01
, 4G062FK01
, 4G062FL01
, 4G062GA01
, 4G062GA10
, 4G062GB01
, 4G062GC01
, 4G062GD01
, 4G062GE01
, 4G062HH01
, 4G062HH03
, 4G062HH05
, 4G062HH07
, 4G062HH09
, 4G062HH11
, 4G062HH13
, 4G062HH15
, 4G062HH17
, 4G062HH20
, 4G062JJ01
, 4G062JJ03
, 4G062JJ05
, 4G062JJ07
, 4G062JJ10
, 4G062KK01
, 4G062KK03
, 4G062KK05
, 4G062KK07
, 4G062KK10
, 4G062MM23
, 4G062NN25
, 4G062NN33
, 4G072AA25
, 4G072BB15
, 4G072CC10
, 4G072GG03
, 4G072HH30
, 4G072JJ47
, 4G072MM36
, 4G072PP17
, 4G072QQ02
, 4G072TT05
, 4G072TT19
, 4G072TT30
, 4G072UU30
Return to Previous Page