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J-GLOBAL ID：200903003652503386

光半導体素子

Inventor： 真塩 尚哉 ,  遠山 政樹 ,  泉谷 敏英
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999272333
Publication number (International publication number)：2001094195
Application date： Sep. 27, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 コンタクト層上全面にオーミック電極を形成することができ、且つブロック層上にも電極が存在することによる素子劣化を防止でき、低抵抗で信頼性の高い電極構造を実現する。【解決手段】 n-InP基板11上に、n-InPクラッド層12,多重量子井戸活性層13,p-InPクラッド層14,p-InGaAsコンタクト層15が順次積層され、コンタクト層15からクラッド層12に至るまでエッチングを施してメサスドライプ16が形成され、メサストライプ16の側面にInPからなるブロック層17が形成され、コンタクト層15及びブロック層17の両方に接するようにp側電極31が形成された半導体レーザにおいて、電極31とコンタクト層15及びブロック層17との間に、Pt層21/Ti層22/Pt層23から成るコンタクト電極20を挿入した。

Claim (excerpt)：

基板上に、第1導電型のクラッド層,光導波層,第2導電型のクラッド層,及び第2導電型のオーミックコンタクト層が順次積層され、少なくともコンタクト層を一部除去して形成されたメサストライプの側面にInPからなるブロック層が形成され、コンタクト層及びブロック層の両方に接するように電極が形成された光半導体素子であって、前記電極とコンタクト層及びブロック層との間に、少なくとも基板側をPtとするコンタクト電極層を挿入してなることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00 E

F-Term (17)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041FF14 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-020888
  
• 特開昭59-161086
  
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-199461   Applicant：松下電器産業株式会社