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J-GLOBAL ID：200903003657427386

プラズマ装置

Inventor： 荒木 陽一
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 守谷 一雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992032328
Publication number (International publication number)：1993234945
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 小型化されたプラズマ装置でプラズマ処理を効率よく行なう。【構成】 放電用ガスをプラズマ化させるプラズマ発生室24と、プラズマから引出される電子の照射により反応ガスをプラズマ化して半導体ウェハのプラズマ処理する反応室26とを連結部25で連結する。連結部25と反応室26を区切って設けられる電子加速電極42の支持体49に、電子移動方向に対して反応室26から連結部25に逆流する中性粒子の通過する通路50を複数設ける。【効果】 連結部には真空装置に接続される排気孔を設ける必要がなく、部品数は非常に減少され、装置も簡略化、小型化が図れる。しかも、電子加速電極42の支持体49の通路50から中性粒子が連結部25に移動されることで、電子は反応室26に効果的に導入され効率よく処理が行われる。

Claim (excerpt)：

カソード電極に囲まれた空間を通って導入される放電用ガスをプラズマ化させるプラズマ発生室と、前記プラズマから引出される電子の照射により反応ガスをプラズマ化して被処理体の処理を行なう反応室とを備え、前記プラズマ発生室と前記反応室とを連結する連結部を設け、前記連結部と前記反応室の間に設置され中央に前記電子の導入孔を有した電子加速電極の前記導入孔周囲に、前記反応室と前記連結部を結ぶ通路を備えたことを特徴とするプラズマ装置。

IPC (6)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/50 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-162581
  
• 特開昭62-278736
  
• 特開昭58-138000