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J-GLOBAL ID：200903003660981262

薄膜トランジスタ基板及び液晶表示装置及びその製造方法

Inventor： 山本 英明 ,  小野 記久雄 ,  白橋 和男 ,  加瀬 賢一 ,  松永 邦之 ,  安生 健二 ,  月井 教男 ,  大和田 淳一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242964
Publication number (International publication number)：1994095146
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】アルミニウムゲート電極、ゲート配線を用いたTFT基板において、信頼性の高い端子部を工程数を増やすことなく形成すること。【構成】基板10上にアルミニウムゲート配線11を端子部まで設け、端子部分を透明電極17で覆う。透明電極17と、アルミニウムゲート配線11との電気的な接続を確保する為に、信号配線を形成する導電層と同じ層181で接続する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された複数本のゲート端子と該ゲート端子に電気的に接続される複数本のゲート配線と、これと交差して配置された複数本の信号配線と、前記ゲート配線と信号配線との交点に薄膜トランジスタを配置してなる薄膜トランジスタ基板において、前記ゲート端子が、ゲート配線と同一のAl合金薄膜とその上に形成された透明電極膜とで構成され、且つ、前記透明電極膜の先端部においてこの透明電極と前記ゲート配線とが前記信号配線に用いられる導電層により電気的に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-058019
  
• 特開平2-156226
  
• 特開平4-365016
  
• 特開昭63-316084