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J-GLOBAL ID：200903003661237567

CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法

Inventor： 間瀬 康一 ,  八尋 和之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090275
Publication number (International publication number)：1993259083
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】CF4 等弗素原子を有する反応ガスを用い、反応室内をプラズマ・ドライ・エッチングによりクリーニングするCVD装置では、該クリーニング後、反応室内に弗素原子が残存し、その後ウェーハ上に堆積されるCVD膜も弗素を含有するようになる。CVD膜が例えばプラズマ・Si O膜で該膜上にAl 配線が形成されると、Al 配線の弗素腐食が発生する。このようなことのないCVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法を提供する。【構成】前記プラズマ・クリーニング後の後工程として、弗素原子を取り込む被膜を反応室内に被覆する工程を新しく設ける。これにより反応室内に残存する弗素原子は、前記被膜に捕獲固着され、ウェーハ上のCVD膜の弗素含有量は大幅に低減され、Al 配線の弗素腐食等はなくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にCVD膜を形成するCVD装置の反応室内を、弗素原子を有する反応ガスを用いてプラズマ・ドライ・エッチング法でクリーニングした後、弗素原子を取り込む被膜を該反応室内に被覆することを特徴としたプラズマ・クリーニング後処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窓のロック装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-182212   Applicant：株式会社巴商会
• 特開平2-240267
  
• 特開昭63-215037