測定の信頼度を向上させられる測定用パターンを備える半導体装置及び測定用パターンを利用した半導体装置の測定方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：志賀正武 , 渡邊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004164999
Publication number (International publication number)：2004363608
Application date： Jun. 02, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】測定用パターンを改善して測定の信頼度を向上させられる測定用パターンを備える半導体装置及びこれを利用した半導体装置の測定方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路が形成されるチップ領域と前記チップ領域を覆い包むスクライブ領域とを含む半導体基板と、前記スクライブ領域内の前記半導体基板の表面に空き空間の形態で形成され、計測設備の測定用ビームが投射されるビーム領域が含まれうるように一定の表面断面積を有する測定用パターンと、前記測定用パターンの内部に、前記測定用パターンの空き空間の表面断面積を減少させられるように、例えばビーム領域の表面断面積対応ダミーパターンの表面断面積の比率が5%ないし15%になりうるようにダミーパターンとを含む測定用パターンを備える半導体装置である。よって、デザインルールの減少に関係なく計測設備のビームサイズに対応する測定用パターンをチップ領域から離れたスクライブ領域に十分なサイズで形成させつつダミーパターンを利用して測定用パターンでのディッシング現状の発生を抑制し、測定の信頼度を向上させられる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体集積回路が形成されるチップ領域と前記チップ領域を覆い包むスクライブ領域とを含む半導体基板と、前記スクライブ領域内の前記半導体基板の表面に空き空間の形態で形成され、計測設備の測定用ビームが投射されるビーム領域が含まれるように一定の表面断面積を有する測定用パターンと、前記測定用パターンの内部に形成され、前記測定用パターンの空き空間の表面断面積を減少させられるダミーパターンと、を含むことを特徴とする測定用パターンを備える半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/66 , H01L21/822 , H01L27/04

FI (3)：

H01L21/66 Y , H01L21/66 P , H01L27/04 T

F-Term (21)：

4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AB15 , 4M106AB16 , 4M106AB17 , 4M106AC05 , 4M106BA04 , 4M106BA12 , 4M106CA48 , 4M106DH03 , 4M106DH12 , 4M106DH50 , 4M106DH55 , 4M106DH60 , 5F038CA13 , 5F038CA18 , 5F038DT12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,218,847号明細書

Cited by examiner (6)

半導体デバイス及びその評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-346374 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-220567 Applicant：松下電子工業株式会社
絶縁膜における段差埋め込み評価方法および評価構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-018148 Applicant：松下電子工業株式会社

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