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J-GLOBAL ID:200903003665010729

発光体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  松田 豊治
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2008518953
Publication number (International publication number):2009511645
Application date: Oct. 10, 2006
Publication date: Mar. 19, 2009
Summary:
本発明は、化合物半導体を主たる構成材料とする無機組成物であって、イリジウム元素を含むことを特徴とする無機組成物に関する。本発明はまた、密閉容器内で、火薬および/または爆薬と共に、化合物半導体を主たる構成材料とする無機組成物を爆破させることを特徴とする、発光材料の製造に用いられる無機複合物の製造方法に関する。 無機組成物に爆破処理、加熱処理などのドーピング処理を行うことによって発光材料の製造に用いられる無機複合物を製造することができる。この無機複合物をさらに加熱処理することによって発光材料を製造することができる。得られる発光材料は層状に形成されて無機EL素子における発光体層を構成する。
Claim (excerpt):
密閉容器内で、火薬および/または爆薬と共に、化合物半導体を主たる構成材料とする無機組成物を爆破させることを特徴とする、発光材料の製造に用いられる無機複合物の製造方法。
IPC (4):
C09K 11/08 ,  C09K 11/00 ,  C01G 55/00 ,  H05B 33/14
FI (4):
C09K11/08 B ,  C09K11/00 F ,  C01G55/00 ,  H05B33/14 Z
F-Term (28):
3K107AA06 ,  3K107AA07 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107CC02 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107DD51 ,  3K107DD53 ,  3K107DD54 ,  3K107DD56 ,  3K107FF12 ,  3K107FF15 ,  4G048AA10 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD03 ,  4G048AE05 ,  4G048AE06 ,  4H001CA01 ,  4H001CF02 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA77 ,  4H001YA25 ,  4H001YA29 ,  4H001YA77
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
Article cited by the Patent:
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