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J-GLOBAL ID：200903003669832189

SOI/SOSの応用のためのL及びUゲートデバイス

Inventor： アースタッド,デイヴィッド・オーエン
Applicant, Patent owner： ハネウェル・インコーポレーテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001548446
Publication number (International publication number)：2003518775
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Jun. 10, 2003
Summary：

【要約】SOI/SOSトランジスタ・チャンネルの側壁に沿ったチャンネル/誘電体界面の少なくとも1つを排除するが、専用の本体結束コンタクトの使用を必要としない半導体デバイスが開示されている。専用の本体コンタクトが必要ないため、デバイスの積め込み密度は、従来のTゲート及びHゲート構成より大幅に改善することができる。本発明は、全体的なゲート面積を削減することもでき、デバイスの速度及び全体的な歩留まりの双方を上昇させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスであって、 絶縁層上に形成され、絶縁領域によって取り囲まれた活性領域であって、頂部エッジ、底部エッジ、第1の横方向エッジ、及び第2の横方向エッジを有する活性領域と、第1の脚部及び第2の脚部を有する第1のL字形状ゲートとを備え、 前記第1のL字形状ゲートの前記第1の脚部は、前記第1の横方向エッジから内方へ離間され、前記第2の横方向エッジの内方へ離間され、前記頂部エッジを覆って前記活性領域に延びており、 前記第1のL字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記頂部エッジの内部に間隔を空けられ、前記第1の横方向エッジを覆って前記活性領域に延びる前記第1のL字形状ゲートの前記第2の脚部であって、前記第1のL字形状ゲートの前記第1の脚部を横切るが、前記第2横方向エッジへは延びておらず、 半導体デバイスは、更に、前記第1の横方向エッジ、前記第1のL字形状ゲートの前記第1の脚部、前記第1のL字形状ゲートの前記頂部エッジ及び前記第2の脚部によって規定される第1のドレイン領域と、前記第2の横方向エッジ及び前記第1のL字形状ゲートによって規定されるソース領域とを備え、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域は第1の導電タイプを有し、 前記第1の脚部の下方の前記活性領域及び前記第1のL字形状ゲートの前記第2の脚部が第2の導電タイプを有し、 半導体デバイスは、更に、前記第2の導電タイプを有し、前記第1のL字形状ゲートの一部から前記ソース領域の少なくとも一部に延びる第1の注入領域と、 前記第1の注入領域を前記ソース領域に電気的に接続するために、前記第1の注入領域の少なくとも一部及び前記ソース領域を覆って延びる第1の電気伝導層とを備える半導体デバイス。 【請求項6】請求項1の半導体デバイスであって、更に 第1の脚部及び第2の脚部を有する第2のL字形状ゲートを備え、 前記第2のL字形状ゲートの前記第1の脚部は、前記第2の横方向エッジの内部に間隔を空けられ、前記第1のL字形状ゲートから間隔を空けられ、前記第2のL字形状ゲートの前記第1の脚部は、前記頂部エッジを覆って前記活性領域に延びており、 前記第2のL字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記頂部エッジから内方へ離間され、前記第2の横方向エッジを覆って前記活性領域に延びており、前記第2のL字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記第2のL字形状ゲートの前記第1の脚部を横切るが、前記第1のL字形状ゲートに延びておらず、 半導体デバイスは更に、前記第2の横方向エッジ、前記第2のL字形状ゲートの前記第1の脚部、前記頂部エッジ、及び、前記第2のL字形状ゲートの前記第2の脚部によって規定される第2のドレイン領域を備え、 前記ソース領域は、前記第2のL字形状ゲートと前記第1のL字形状ゲートとの間に延びており、 前記第2のL字形状ゲートの前記第1の脚部及び前記第2の脚部の下方の前記活性領域は、前記第2の導電タイプを有し、 半導体デバイスは更に、前記第2の導電タイプを有し、前記第2のL字形状ゲートの一部から前記ソース領域の少なくとも一部に延びる第2の注入領域と、 前記第2の注入領域を前記ソース領域に電気的に接続するために、前記第2の注入領域及び前記ソース領域の少なくとも一部を覆って延びる第2の電気導電層とを備える半導体デバイス。 【請求項14】 半導体デバイスであって、 絶縁層上に形成され、絶縁領域によって取り囲まれた活性領域であって、頂部エッジ、底部エッジ、第1の横方向エッジ、及び、第2の横方向エッジを有する活性領域と、第1の脚部、第2の脚部、及び、第3の脚部を有する第1のU字形状ゲートとを備え、 前記第1のU字形状ゲートの前記第1の脚部は、前記第1の横方向エッジから内部に、及び、前記第2の横方向エッジの内部に間隔を空けられ、 前記第1のU字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記第1の横方向エッジを覆って前記活性領域に延びており、前記第1のU字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記第1のU字形状ゲートの前記第1の脚部を横切るが、前記第2横方向エッジへは延びておらず、 前記第1のU字形状ゲートの前記第3の脚部は、前記第1のU字形状ゲートの前記第2の脚部から間隔を空けられており、前記第1のU字形状ゲートの前記第3の脚部は、前記第1の横方向エッジを覆って前記活性領域に延び、前記第1のU字形状ゲートの前記第1の脚部を横切るが、前記第2の横方向エッジへは延びておらず、 半導体デバイスは更に、前記第1の横方向エッジ、前記第1のU字形状ゲートの前記第1の脚部、前記第1のU字形状ゲートの前記第2の脚部、及び、前記第1のU字形状ゲートの前記第3の脚部によって規定される第1のドレイン領域と、前記第2の横方向エッジ及び前記第1のU字形状ゲートによって規定されるソース領域とを備え、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域は第1の導電タイプを有し、 前記第1の脚部の下方の前記活性領域、前記第2の脚部、及び、前記第1のU字形状ゲートの前記第3の脚部は第2の導電タイプを有し、 半導体デバイスは更に、前記第2の導電タイプを有し、前記第1のU字形状ゲートの一部から前記ソース領域の少なくとも一部に延びる第1の注入領域と、前記第1の注入領域を前記ソース領域に電気的に接続するために、前記第1の注入領域及び前記ソース領域を覆って延びる第1の電気伝導層を備える半導体デバイス。 【請求項23】請求項14の半導体デバイスであって、更に、 第1の脚部、第2の脚部、及び、第3の脚部を有する第2のU字形状ゲートを備え、 前記第2のU字形状ゲートの前記第1の脚部は、前記第2の横方向エッジの内部に間隔を空けられ、前記第1のU字形状ゲートから間隔を空けられ、 前記第2のU字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記第2の横方向エッジを覆って前記活性領域に延びており、前記第2のU字形状ゲートの前記第2の脚部は、前記第2のU字形状ゲートの前記第1の脚部を横切るが、前記第1のU字形状ゲートに延びておらず、 前記第2のU字形状ゲートの前記第3の脚部は、前記第2のU字形状ゲートの前記第2の脚部から間隔を空けられ、前記第2の横方向エッジを覆って前記活性領域に延びており、前記第2のU字形状ゲートの前記第3の脚部は、前記第2のU字形状ゲートの前記第1の脚部を横切るが、前記第1のU字形状ゲートに延びておらず、 半導体デバイスは更に、前記第1の横方向エッジ、前記第2のU字形状ゲートの前記第1の脚部、前記第2のU字形状ゲートの前記第2の脚部、及び、前記第2のU字形状ゲートの前記第3の脚部によって規定される第2のドレイン領域を備え、 前記ソース領域は、前記第1のU字形状ゲートと前記第2のU字形状ゲートとの間の間隔により規定され、 前記第2のU字形状ゲートの前記第1の脚部、前記第2の脚部、及び、前記第3の脚部の下方の前記活性領域は前記第2の導電タイプを有し、 半導体デバイスは更に、前記第2のU字形状ゲートの一部から前記ソース領域の少なくとも一部に延びる第2の注入領域と、前記第2の注入領域を前記ソース領域に電気的に接続するために、前記第2の注入領域の少なくとも一部及び前記ソース領域を覆って延びる第2の電気伝導層とを備える半導体デバイス。

FI (2)：

H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 617 K

F-Term (11)：

5F110AA06 ,  5F110AA15 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE24 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-079035
  
• 特開昭60-021542
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-263096   Applicant：三菱電機株式会社