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J-GLOBAL ID：200903003692319154

半導体装置およびそれを用いる表示装置

Inventor： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  ▲吉▼岡 宏人 ,  藤田 達也 ,  越智 久雄 ,  杉原 利典 ,  原 猛
Applicant, Patent owner： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  シャープ株式会社
Agent (3)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2003003709
Publication number (International publication number)：WO2003098699
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Nov. 27, 2003
Summary：

逆スタガー型のMOSFET(1)において、酸化亜鉛から成り、前記半導体層であるチャネル層(5)に対するゲート絶縁層(4)を、アモルファス状の酸化アルミニウムで形成する。このような構造とすることで、チャネル層(5)とゲート絶縁層(4)との界面での欠陥準位が低減され、総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることができる。そして、このような手法は、順スタガー型のMOSFET等にも適用することができ、汎用性も高い。

Claim (excerpt)：

半導体層がII族酸化物を含む半導体装置において、 前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/80 B