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J-GLOBAL ID：200903003695294403

ポリボロシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂、およびそれを用いて得られる光半導体装置

Inventor：
片山 博之

About 片山 博之


Applicant, Patent owner：
日東電工株式会社

About 日東電工株式会社


Agent (1)： 細田 芳徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007306816
Publication number (International publication number)：2009127020
Application date： Nov. 28, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：
【課題】シリコーン樹脂と同程度の耐熱性を保持しながら、シリコーン樹脂より高い屈折率を有する光半導体素子封止用樹脂、および向上した光取り出し効率を有する、該樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供すること。【解決手段】ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させて得られるポリボロシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂であって、ケイ素化合物が式(I)で表され、(式中、R1及びR2は、それぞれ独立してアルキル基又はフェニル基を示し、X1及びX2は、それぞれ独立してアルコキシ基、ヒドロキシ基又はハロゲンを示す) 使用されるケイ素化合物中の全てのR1及びR2において、フェニル基が50モル%以上であることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂、並びに該光半導体素子封止用樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させて得られるポリボロシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂であって、ケイ素化合物が式(I)で表され、
IPC (4)：
C08G 77/56 ,  H01L 33/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3)：
C08G77/56 ,  H01L33/00 N ,  H01L23/30 R
F-Term (28)：
4J246AA03 ,  4J246AA11 ,  4J246AA19 ,  4J246AB06 ,  4J246AB14 ,  4J246BA02X ,  4J246BB02X ,  4J246BB022 ,  4J246BB05X ,  4J246BB052 ,  4J246CA13X ,  4J246CA139 ,  4J246CA24X ,  4J246CA249 ,  4J246CA40X ,  4J246CA409 ,  4J246FA071 ,  4J246FA131 ,  4J246GB02 ,  4J246GC23 ,  4J246GC24 ,  4J246HA29 ,  4M109EA10 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041DA46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (8)
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