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J-GLOBAL ID：200903003701242291

磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ

Inventor： 池田 貴司 ,  西村 直樹 ,  関口 芳信
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295709
Publication number (International publication number)：2003142753
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】 磁化反転に大きな磁界を有する磁性膜の磁化反転方法において、磁化反転に有する磁界を小さくすることを目的とし、また、この磁化反転方法を用いた磁気メモリの提供を目的とする。【解決手段】 磁性膜の磁化容易軸に対して傾いた角度から磁界を印加し、磁化反転を行なう。これによって、磁化反転に要する磁界を低減することが可能となると共に特に、この磁化反転方法を用いた磁気抵抗効果メモリの記録に有効となる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜に外部磁界を印加する磁化反転方法において、前記磁気抵抗効果膜は磁化容易軸が膜面垂直方向である磁性層によって非磁性層を挟んだ構造を有し、前記外部磁界は、前記磁性層の磁化容易軸方向を含む複数の方向からの磁界であることを特徴とする磁化反転方法。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  H01L 27/105

FI (2)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08