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J-GLOBAL ID：200903003701655707

窒化珪素薄膜の形成方法

Inventor： 片桐 智治
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995073941
Publication number (International publication number)：1996274089
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 水素含有量の少ないp-SiN膜を作成する窒化珪素薄膜の形成方法を提供する。【構成】 PECVD法において、赤外半導体レーザ分光法を用いてアンモニアの分解量をモニタする。そして、アンモニアの分解量が4%以上10%以下となるように制御を行って、窒化珪素薄膜を形成する。この結果、しきい値電圧の変動は0.05ボルト以下となることが期待される。すなわち、ホット・キャリア耐性が高いデバイスが製造可能である。

Claim (excerpt)：

少なくともシラン、アンモニア、窒素を原料として用いて、プラズマ促進化学気相成長法によって窒化珪素薄膜を成長させる方法において、アンモニアの分解量が4%以上10%以下になるように制御をする制御工程、を含むことを特徴とする窒化珪素薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C