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J-GLOBAL ID:200903003704345369

ALD薄膜蒸着方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004072467
Publication number (International publication number):2004282075
Application date: Mar. 15, 2004
Publication date: Oct. 07, 2004
Summary:
【課題】熱的なドライクリーニング方法で除去できない薄膜を反応容器を開かずに除去できる、効率的なALD薄膜蒸着方法を提供する。【解決手段】ALD薄膜蒸着工程の途中に、ダミー基板を反応容器10にローディングし、反応容器内にクリーニングガスを供給する。反応容器内の雰囲気が安定した後、シャワーヘッド40にRFエネルギーを印加してクリーニングガスを活性化させて、その活性化されたクリーニングガスによってシャワーヘッドの表面に積層された薄膜を集中的に除去する。ダミー基板を新しいダミー基板に交換して、シャワーヘッドに対するクリーニングを繰り返す。クリーニング完了後、反応容器の内部を不活性ガスでパージする。【選択図】 図1
Claim 1:
チャンバの内部に配置されてローディングされた基板を所定温度に加熱するウェーハブロック、前記チャンバを覆って密封するトップリッド、及び前記トップリッドの下部にそのトップリッドと絶縁可能に結合されて前記基板に各々第1反応ガスと第2反応ガスとを噴射する第1、2噴射ホールが形成されたシャワーヘッドを有する反応容器と、前記シャワーヘッドまたは前記シャワーヘッド及び前記ウェーハブロックにRFエネルギーを印加する少なくとも一つ以上のRFエネルギー供給部とを含む薄膜蒸着装置を利用するALD薄膜蒸着方法であって、 前記ウェーハブロック上に基板ローディングする基板ローディング段階と、 前記基板ローディング後、前記基板W上にALD薄膜を蒸着するALD薄膜蒸着段階と、 前記ALD薄膜が蒸着された基板を前記ウェーハブロックからアンローディングする基板アンローディング段階と、 基板アンローディング後、前記ウェーハブロック上にダミー基板をローディングするダミー基板ローディング段階と、 前記ダミー基板ローディング後、不活性ガス単独または混合された不活性ガスとクリーニングガスとを前記反応容器に流入させてその反応容器の内部空間のガス流速及び圧力を安定化させるプレコンディショニング段階と、 前記ガス流速及び圧力が安定化した以後、前記シャワーヘッドにRFエネルギーを印加してクリーニングガスを活性化させることによってその活性化されたクリーニングガスによって前記シャワーヘッドの表面に積層された薄膜を集中的に除去するシャワーヘッドクリーニング段階と、 前記シャワーヘッドクリーニング段階以後、前記ダミー基板を前記ウェーハブロックからアンローディングするダミー基板アンローディング段階と、 前記ダミー基板ローディング段階からダミー基板アンローディング段階までの一連の段階を、新しいダミー基板を利用して少なくとも1回以上行う反復段階と、 クリーニング完了後、前記反応容器の内部を不活性ガスでパージする反応容器パージ段階とを含むことを特徴とするALD薄膜蒸着方法。
IPC (2):
H01L21/31 ,  C23C16/44
FI (2):
H01L21/31 C ,  C23C16/44 J
F-Term (21):
4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA16 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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