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J-GLOBAL ID：200903003707828379

単結晶の引き上げ方法及び該方法に使用する単結晶引き上げ装置

Inventor： 池田 直紀
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007686
Publication number (International publication number)：1997194290
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 29, 1997
Summary：

【要約】【課題】 近年、チョクラルスキー法(CZ法)により引き上げられる単結晶の直径が大きくなっているが、引き上げた単結晶に高密度の転位を発生させないために形成するテイル部も単結晶の直径の増大に伴い長くなっており、メインボディに対するテイル部の割合が大きくなってきたため単結晶の生産効率が低下している。【解決手段】 CZ法を用いた単結晶の引き上げ方法において、単結晶26を所定の長さまで引き上げる引き上げ工程、単結晶26の直径以下の長さのテイル部26dを形成するテイル部形成工程、テイル部26dを溶融液33より切り離すテイル部切り離し工程、及びテイル部26dを単結晶26の融点付近より850°C付近までを60〜250°C/時間の速度で冷却する徐冷工程を含む単結晶の引き上げ方法を採用する。

Claim (excerpt)：

坩堝内の結晶原料の溶融液から単結晶を引き上げつつ成長させる単結晶の引き上げ方法において、該単結晶を所定の長さまで引き上げる引き上げ工程、前記単結晶の直径以下の長さのテイル部を形成するテイル部形成工程、該テイル部を前記溶融液より切り離すテイル部切り離し工程、及びテイル部を該単結晶の融点付近より850°C付近までを60〜250°C/時間の速度で冷却する徐冷工程を含むことを特徴とする単結晶の引き上げ方法。

IPC (4)：

C30B 15/22 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 15/22 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 Z ,  H01L 21/208 P