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J-GLOBAL ID：200903003709726646

インダクタ、モノリシックマイクロ波集積回路及びその製造方法

Inventor： 田村 彰良 ,  小俣 雄二 ,  鳥井 秀雄 ,  藤井 映志
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225113
Publication number (International publication number)：1995153912
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高インダクタンスを有し占有面積が縮小されたインダクタ及び該インダクタを搭載したMMICを提供する。【構成】 MMIC20は、インダクタ22とMESFET21とを半絶縁性基板23上に搭載している。インダクタ22は、所定の形状を有する導体層36と、導体層36に付設されたニッケル-亜鉛-フェライト軟磁性薄膜からなる軟磁性層37とで構成されている。ニッケル-亜鉛-フェライト軟磁性薄膜はスピネル構造を有し、高い初透磁率を示すので、軟磁性層と導体層とを積層したインダクタ22は高いインダクタンスを有する。したがって、インダクタ22の占有面積を低減し得る。特に軟磁性層37を形成する際、レーザーアブレーション法又はプラズマMOCVD法を用いることで、低温条件でMESFET21の特性を害することなく、良好なスピネル構造を得ることができる。

Claim (excerpt)：

モノリシックマイクロ波集積回路に用いられるインダクタであって、該インダクタは、上記モノリシックマイクロ波集積回路内の信号を授受するための入出力端部を有し所定のパターンで形成された導体層と、該導体層に付設されたニッケル-亜鉛-フェライト軟磁性薄膜からなり、上記導体層に流れる電流の変化に応じた誘導起電力を生ぜしめる少なくとも1つの軟磁性層とを備えたことを特徴とするインダクタ。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822