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J-GLOBAL ID:200903003711004461

SOI基板の製造方法および半導体素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉浦 正知 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002168942
Publication number (International publication number):2003017726
Application date: Feb. 02, 1995
Publication date: Jan. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高変換効率の薄膜太陽電池などの高性能の薄膜素子を低コストで製造する。【解決手段】 単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp+ 型Si層3、p型Si層4およびn+ 型Si層5を形成する。n+ 型Si層5上に保護膜6を形成した後、単結晶Si基板1の裏面を治具10に接着するとともに、保護膜6の表面に治具12を接着する。次に、治具10、12を互いに反対方向に引っ張ることにより多孔質Si層2を機械的に破断し、太陽電池層を単結晶Si基板1から分離する。この太陽電池層を二枚のプラスチック基板の間にはさんでフレキシブルな薄膜太陽電池を製造する。
Claim (excerpt):
基体内に多孔質層を形成する工程と、前記基体表面上に半導体層を形成する工程と、前記基体から前記半導体層を分離する工程とを有し、前記基体から前記半導体層を分離する工程は前記多孔質層の内部および/または前記多孔質層と前記基体および前記半導体層との界面で機械的に破断を起こさせることにより行われることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3):
H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3063
FI (3):
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 H ,  H01L 21/306 L
F-Term (31):
5F043AA02 ,  5F043AA03 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF12 ,  5F045CA13 ,  5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051BA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA05 ,  5F051GA15
Patent cited by the Patent:
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