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J-GLOBAL ID：200903003719875160

薄膜形成装置

Inventor：
田中 雅彦

About 田中 雅彦

, 
池本 学

About 池本 学

, 
横川 直明

About 横川 直明


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 鈴木 正次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190403
Publication number (International publication number)：2002083806
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 真空反応室内を、ラジカルが通過する複数個の穴を持つ隔壁板によってプラズマ放電空間と成膜処理空間とに分離し、プラズマ放電空間にガスを導入してプラズマによりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔壁板の複数個の穴を通して成膜処理空間に導入すると共に、成膜処理空間に材料ガスを直接導入し、成膜処理空間において、前記導入されたラジカルと材料ガスとを反応させ、成膜処理空間に配置されている基板上に成膜を行う薄膜形成装置において、プラズマ放電空間で生成されたラジカルが隔壁板の内部空間に侵入し、隔壁板の内部空間においてラジカルと材料ガスとが接触してしまうことを防止する。【解決手段】 真空反応室内をプラズマ放電空間と成膜処理空間とに分離する隔壁板を、積層された複数枚の板体が相互の接触面を全面にわたり密着させて固定、又は接合されている構造として課題を解決した。
Claim (excerpt)：
真空反応室内が隔壁板によってプラズマ放電空間と成膜処理空間とに分離されており、当該隔壁板は内部に前記プラズマ放電空間と隔離され、かつ前記成膜処理空間と連通している内部空間を有していると共に、前記プラズマ放電空間と成膜処理空間とを貫通する複数個の穴を有しているものであって、前記プラズマ放電空間にガスを導入してプラズマによりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔壁板の複数個の穴を通して前記成膜処理空間に導入すると共に、前記成膜処理空間に材料ガスを直接導入し、成膜処理空間において前記導入されたラジカルと材料ガスとを反応させ、成膜処理空間に配置されている基板上に成膜を行う装置において、前記隔壁板は、積層された複数枚の板体が相互の接触面を全域にわたり密着させて固定、又は接合されてなるものであることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455
FI (2)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/455
F-Term (19)：
4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030FA03 ,  4K030JA12 ,  4K030KA12 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AF07 ,  5F045BB15 ,  5F045CA15 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EH14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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