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J-GLOBAL ID：200903003724738480

アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を用いる酸化亜鉛薄膜の製造方法

Inventor： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  金戸 広樹
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005311161
Publication number (International publication number)：2007119816
Application date： Oct. 26, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法によって、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する、工業的に好適な酸化亜鉛薄膜の製造方法を提供するものである。【解決手段】 本発明の課題は、亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に亜鉛酸化薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (1)：

C23C 16/40

FI (1)：

C23C16/40

F-Term (17)：

4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006BE62 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB91 ,  4H048VA66 ,  4H048VB10 ,  4H048VB40 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA47 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-219280   Applicant：株式会社東北テクノアーチ