Pat

J-GLOBAL ID：200903003732441977

ドライエッチング方法

Inventor： 組橋 孝生 ,  小藤 直行 ,  辻本 和典 ,  田地 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993187843
Publication number (International publication number)：1995045585
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】エッチング中に、イオンの入射角度分布が3度以上のステップと、3度未満のステップとを組み合わせる。【効果】エッチャントとなる中性粒子を効率よく底面まで輸送できるので、深溝や深孔をエッチングする時に、エッチング形状の曲がりやマイクロローディング効果を抑えることができる。

Claim (excerpt)：

処理室内にガスを流し、前記ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマから入射するイオンのエネルギを用いて、前記処理室内に設置した試料をエッチングするドライエッチング方法において、イオンの入射角度分布が3度以上のステップと、3度未満のステップを含むことを特徴とするドライエッチング方法。