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J-GLOBAL ID：200903003744254218

高チャネル移動度を有するSiC半導体装置

Inventor： ペータース、デタルト ,  シェルナー、ラインホルト ,  シュテファニ、ディートリッヒ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998544401
Publication number (International publication number)：2001517375
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Oct. 02, 2001
Summary：

【要約】半導体装置のSiCチャネル領域2は配向を外したエピタキシャル成長によりその表面20に互いに平行に延びる隆起部6を有する。チャネル領域2の電流の流れは隆起部6に平行に調整される。それによりチャネル領域2内に高いキャリア移動度が達成される。

Claim (excerpt)：

a)少なくとも互いにほぼ並列して延びる隆起部(6)のある表面(20)を有する単結晶炭化ケイ素(SiC)から成る少なくとも1つのチャネル領域(2)と、 b)少なくとも2つの電極(15、16)を有する少なくとも1つの電子的に活性な構造を有し、それらの電極間に電子活性構造(7)の導通状態において動作電圧を印加するとき少なくとも1つのチャネル領域(2)を通って電流(I)が流れ、この電流が少なくとも十分にチャネル領域(2)の表面(20)の隆起部(6)に平行するように方向付けられる半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/808

FI (6)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/74 601 A