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J-GLOBAL ID：200903003758990430

MOSFETおよびそれを用いた保護回路装置

Inventor： 及川 慎 ,  吉村 充弘 ,  江藤 弘樹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000308618
Publication number (International publication number)：2002118258
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】パワーMOSFETではゲート酸化膜を静電破壊から保護するために双方向ツェナーダイオードをゲート-ソース間に接続し、さらにそのMOSFETを二次電池充放電バッテリーマネジメントに使用するためには外付けでツェナーダイオードを接続しており、保護基板面積の増大を招いていた。【解決手段】本発明はMOSFET内蔵のゲート-ソース間保護用ダイオードを一方向のダイオードとすることにより、個々のMOSFETを静電破壊等から保護し、さらにそのMOSFETを充放電バッテリーマネジメントに使用する場合にはコントロールICからMOSFETのゲート-ソース間に過電圧が発生しても一方向のツェナーダイオードで保護が可能となり、外付けツェナーダイオードが不要となるため、部品点数の削減と省スペース化が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多数のMOSトランジスタのセルが配列された実動作領域と該実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域と接続されたソース電極と前記MOSトランジスタの各セルのゲート電極と接続されたゲートパッド電極とをそれぞれ備えた第1のMOSFETおよび第2のMOSFETを前記半導体基板にドレイン領域を共通に形成した1チップデュアル型MOSFETにおいて、前記第1および第2のMOSFETの一方または両方の前記ソース電極と前記ゲート電極の間で且つ前記ゲートパッド電極の直下の前記半導体基板にツェナーダイオードを設けることを特徴とするMOSFET。

IPC (9)：

H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02H 7/16 ,  H02H 9/04 ,  H03K 17/08 ,  H03K 17/687

FI (9)：

H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 652 Q ,  H02H 7/16 B ,  H02H 9/04 A ,  H03K 17/08 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 E ,  H03K 17/687 A

F-Term (37)：

5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038EZ15 ,  5G013AA02 ,  5G013AA16 ,  5G013BA02 ,  5G013CB03 ,  5G013DA10 ,  5G053AA09 ,  5G053BA04 ,  5G053CA05 ,  5G053DA02 ,  5G053EA09 ,  5G053EC03 ,  5J055AX34 ,  5J055AX43 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX00 ,  5J055DX13 ,  5J055DX22 ,  5J055DX72 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY17 ,  5J055EY29 ,  5J055EZ57 ,  5J055GX01 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08