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J-GLOBAL ID：200903003760539184

電界効果型トランジスタ

Inventor： 屋ヶ田 弘志 ,  佐藤 正春 ,  天野 公輔
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011871
Publication number (International publication number)：1995221313
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジスタを提供する。【構成】 クロロシリル基を有するポリ置換チオフェンを有機溶剤に溶解させ、これをゲート絶縁膜表面に塗布する。ゲート絶縁膜の表面とπ-共役系高分子との間で吸着作用が働き、ゲート絶縁膜界面付近の高分子鎖の配列状態が影響を受けるため、ゲート絶縁膜界面付近の領域の電気伝導度がバルクとは異なった半導体層が得られる。このようにして半導体層/ゲート絶縁膜界面付近を流れるオン電流のキャリア移動度を選択的に大きくすることができる。【化1】

Claim (excerpt)：

半導体層とゲート絶縁膜を具備する電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層が、一般式(I)で表わされるπ-共役系高分子を主成分とするものであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【化1】(式中R1 は炭素数4以上22以下のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、フェニル基より選ばれる1種、R2 、R3 はそれぞれ-Cl、-H、-CH3、-C2 H5 より選ばれる1種である)

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  C08L 81/00 LRF ,  H01L 51/00 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-031174
  
• 特開昭63-076378