Si基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法及びそれを用いて製造される炭化珪素半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004031089
Publication number (International publication number)：2005223215
Application date： Feb. 06, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】Si基板の(100)や(111)面以外の特定の面を用いて、SiCエピタキシャル成長加工条件で自己形成的に起伏を形成することにより、効率的に欠陥密度の低減を達成することができるSi基板上へのSiC単結晶膜の製造方法及びそれを用いたSiC半導体装置を提供する。【解決手段】成膜室内にSi基板を設置し、気相から薄膜を析出させSi基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶膜の製造方法において、Si基板表面をエッチングガスでエッチングする工程とSi基板表面に炭素源ガスを供給して炭化緩衝層を形成する工程と炭素源と珪素源ガスを供給して炭化珪素を成長させる工程が連続して行われ、前記炭化緩衝層の形成時にSi表面にナノファセット構造を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

成膜室内にSi基板を設置し、気相から薄膜を析出させSi基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶膜の製造方法において、 Si表面をエッチングガスでエッチングする工程とSi基板表面に炭素源ガスを供給して炭化緩衝層を形成する工程と前記炭素源ガスと珪素源ガスを供給して炭化珪素膜を成長させる工程が連続して行われ、前記炭化緩衝層の形成時にSi表面にナノファセット構造を形成することを特徴とするSi基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36

FI (3)：

H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36 A

F-Term (39)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB05 , 4G077DB07 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB06 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AF03 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045DA53 , 5F045EE12 , 5F045HA03 , 5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特公平6-41400号公報
炭化珪素膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-288844 Applicant：ホーヤ株式会社
炭化珪素の製造方法、炭化珪素及び複合材料、並びに半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-162048 Applicant：ホーヤ株式会社

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Cited by examiner (3)

特開平4-214099
マイクロ波プラズマCVD装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038831 Applicant：キヤノン株式会社
特開昭63-139096

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