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J-GLOBAL ID：200903003769793784

モジュール型半導体装置

Inventor： 奥富 功 ,  田中 明 ,  山本 敦史 ,  草野 貴史 ,  西村 隆宣 ,  石渡 裕 ,  荒木 浩二 ,  福吉 寛
Applicant, Patent owner： 芝府エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331142
Publication number (International publication number)：2000156425
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、半導体素子の冷却効率を低下させずに、はんだ付け時の熱変形を阻止でき、信頼性の向上を図る。【解決手段】 熱伝導体ベース10として、絶縁基板4がはんだ6を介して接合される薄肉部11と、薄肉部の周辺に位置し、薄肉部の2倍以上の厚さを有する厚肉部12とを備えたため、薄肉部を有することにより、半導体素子5の熱を効率的に冷却し、かつ厚肉部が補強材として機能するモジュール型半導体装置。

Claim (excerpt)：

絶縁性セラミック層の一方の面に第1の導電層が接合され、且つ前記絶縁性セラミック層の他方の面に第2の導電層が接合されてなる絶縁基板と、前記第1の導電層上に接合された半導体素子と、前記第2の導電層上にはんだを介して接合された熱伝導体ベースとを備えたモジュール型半導体装置において、前記熱伝導体ベースは、前記絶縁基板が前記はんだを介して接合される薄肉部と、前記薄肉部の周辺に位置し、前記薄肉部の2倍以上の厚さを有する厚肉部とを備えたことを特徴とするモジュール型半導体装置。