Pat
J-GLOBAL ID：200903003780458547

III-V族化合物結晶およびその製造方法

Inventor：
中畑 成二

About 中畑 成二

, 
上松 康二

About 上松 康二

, 
弘田 龍

About 弘田 龍


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003129829
Publication number (International publication number)：2004331453
Application date： May. 08, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
【課題】種々の基板を用いてもクラックを発生することなく良好なIII-V族化合物結晶が得られる簡便でコストの低いIII-V族化合物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に金属膜2を堆積する工程と、前記金属膜2をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜2上にIII-V族化合物結晶4を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII-V族化合物結晶の製造方法。また、上記熱処理工程の後に、前記熱処理後の金属膜上にIII-V族化合物バッファ膜を成長させる工程と、前記III-V族化合物バッファ膜上にIII-V族化合物結晶を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII-V族化合物結晶の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に金属膜を堆積する工程と、前記金属膜をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜上にIII-V族化合物結晶を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII-V族化合物結晶の製造方法。
IPC (6)：
C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (6)：
C30B29/40 502H ,  C30B29/38 D ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (41)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG02 ,  4G077PD01 ,  4G077PD05 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045DB06 ,  5F052DA04 ,  5F052EA13 ,  5F052KA05 ,  5F073AA55 ,  5F073CA02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA04 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F073HA02 ,  5F073HA10 ,  5F073HA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM