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J-GLOBAL ID：200903003790704309

微小ケミカルデバイスの製法

Inventor： 寺前 敦司 ,  穴澤 孝典
Applicant, Patent owner： 財団法人川村理化学研究所
Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000142709
Publication number (International publication number)：2001322178
Application date： May. 16, 2000
Publication date： Nov. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明が解決しようとする課題は、滑らかな壁面を有する溝などの凹部を有する微小ケミカルデバイス或いはそれにカバーを装着して凹部を空隙部とした微小ケミカルデバイスの製法を提供することにある。【解決手段】 基材表面にエネルギー線架橋重合性化合物(a)を含有するエネルギー線硬化性の組成物(I)を塗布し、次いで塗布された該組成物(I)に、凹部となるべき部分を除いてエネルギー線を照射して照射部分の組成物(I)を硬化させ、更に組成物(I)のエネルギー線未照射の未硬化部分を、エネルギー線架橋重合性化合物(a)を溶解させず、且つ組成物(I)の硬化物をも溶解させない液体により除去することを特徴とする、基材表面にエネルギー線硬化性の組成物(I)の硬化物で構成された、深さ1μm〜5mmの凹部を有する微小ケミカルデバイスの製法。

Claim (excerpt)：

基材表面にエネルギー線架橋重合性化合物(a)を含有するエネルギー線硬化性の組成物(I)を塗布し、次いで塗布された該組成物(I)に、凹部となるべき部分を除いてエネルギー線を照射して照射部分の組成物(I)を硬化させ、更に組成物(I)のエネルギー線未照射の未硬化部分を、エネルギー線架橋重合性化合物(a)を溶解させず、且つ組成物(I)の硬化物をも溶解させない液体により除去することを特徴とする、基材表面にエネルギー線硬化性の組成物(I)の硬化物で構成された、深さ1μm〜5mmの凹部を有する微小ケミカルデバイスの製法。

IPC (2)：

B29C 67/00 ,  B29K105:32

FI (2)：

B29C 67/00 ,  B29K105:32

F-Term (10)：

4F213AA44 ,  4F213AF01 ,  4F213AG03 ,  4F213AG28 ,  4F213WA32 ,  4F213WA53 ,  4F213WA58 ,  4F213WA67 ,  4F213WA87 ,  4F213WB01