Pat

J-GLOBAL ID：200903003800489703

セラミックス焼結体の製造方法

Inventor： 田中 滋 ,  高橋 研 ,  元脇 成久 ,  前田 邦裕
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  新技術事業団
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996098195
Publication number (International publication number)：1997278538
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Oct. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体として粒界準位の安定化した粒界利用型セラミックスを安価に製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 セラミックス原料としてのZnO粉を、有機バインダーであるポリビニルアルコール水溶液に浸し、その後150°Cの低温で熱処理し、この処理された原料粉に添加成分Bi2O3の粉末を加えて混合し、この混合した原料粉末を焼結して、半導体であるZnOバリスタ用材料を製造する。

Claim (excerpt)：

セラミックス原料粉の周りに添加成分となる粉末を撹拌、混合し、表面を改質させた原料粉末を焼結することにより、添加成分を焼結体粒界に偏析させるセラミックス焼結体の製造方法において、前記撹拌、混合前に前記セラミックス原料粉を有機バインダーに浸漬し、次にこれを150°C以下の温度で熱処理することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。

IPC (2)：

C04B 35/64 ,  H01C 7/10

FI (2)：

C04B 35/64 C ,  H01C 7/10