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J-GLOBAL ID：200903003803095870

エネルギー貯蔵デバイス

Inventor：
熊代 祥晃

About 熊代 祥晃

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新井 寿一

About 新井 寿一

, 
小林 満

About 小林 満


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (2)： 作田 康夫 ,  井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004136973
Publication number (International publication number)：2005322420
Application date： May. 06, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、上記のような課題を解消し、充放電状態に対する依存性が少なく、低温での入出力特性の優れ、パルスサイクルによる容量低下の小さいエネルギー貯蔵デバイスを提供することにある。【解決手段】 リチウム二次電池の正極活物質層の上に、主に活物質表面にイオンが物理的に吸脱着されることで電荷を蓄積,放出する非ファラデー的な反応を有する層を構成することで、両方の反応機構により電気エネルギーを貯蔵,放出する正極板と、リチウムをイオン化した状態で吸蔵,離脱しうる炭素材料を主体とする負極からなる負極板を有するエネルギー貯蔵デバイスであり、このエネルギー貯蔵デバイスを2.7Vから4.2Vの範囲で使用した場合、負極板の作動電位がLi/Li+ 電位に対して0.5V以下となるように正極板,負極板を組み合わせたエネルギー貯蔵デバイスを作製する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
リチウムイオンの挿入離脱可能な正極活物質を有する正極活物質層と、イオンが物理的に吸脱着されることで電荷を蓄積,放出する非ファラデー的な反応が起こる層とを有する正極板と、集電体上に主にリチウムをイオン化した状態で吸蔵,離脱しうる炭素材料である負極活物質を有する負極活物質層有する負極板とを有し、前記正極板と前記負極板とを電気的に絶縁し、可動イオンのみを通す絶縁層を設けたエネルギー貯蔵デバイス。
IPC (5)：
H01M10/40 ,  H01M2/10 ,  H01M2/20 ,  H01M4/02 ,  H01M4/58
FI (6)：
H01M10/40 Z ,  H01M10/40 B ,  H01M2/10 E ,  H01M2/20 A ,  H01M4/02 C ,  H01M4/58
F-Term (37)：
5H022AA09 ,  5H022AA19 ,  5H022CC25 ,  5H029AJ03 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ02 ,  5H029BJ14 ,  5H029DJ09 ,  5H029DJ18 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ18 ,  5H029HJ19 ,  5H040AS07 ,  5H040AS19 ,  5H040AT01 ,  5H040AY08 ,  5H040DD03 ,  5H040DD07 ,  5H040NN01 ,  5H040NN05 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB07 ,  5H050CB09 ,  5H050FA05 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA18 ,  5H050HA19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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