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J-GLOBAL ID：200903003845050656

導電性パターン形成方法

Inventor： 川村 浩一
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002092438
Publication number (International publication number)：2003289178
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 耐久性と導電安定性とに優れ、断線のない微細な配線(回路)を容易に形成することが可能な導電性パターン形成方法を提供する。【解決手段】 疎水性支持体上に、少なくとも側鎖又は末端に光活性基を有する親水性ポリマーを含有する組成物を接触させ、画像様にエネルギーを付与して、疎水性ポリマー含有層上に該親水性ポリマーを固定化して親水性パターンを形成し、該親水性パターン上に導電性材料を吸着させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

疎水性支持体上に、少なくとも側鎖又は末端に光活性基を有する親水性ポリマーを含有する組成物を接触させ、像様にエネルギーを付与して、疎水性ポリマー含有層上に該親水性ポリマーを固定化して親水性パターンを形成し、該親水性パターン上に導電性材料を吸着させる導電性パターン形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/10 ,  G03F 7/40 521

FI (2)：

H05K 3/10 C ,  G03F 7/40 521

F-Term (22)：

2H096AA26 ,  2H096BA06 ,  2H096CA20 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA38 ,  5E343AA39 ,  5E343BB15 ,  5E343BB22 ,  5E343BB60 ,  5E343BB65 ,  5E343BB78 ,  5E343CC22 ,  5E343DD01 ,  5E343EE02 ,  5E343EE12 ,  5E343EE32 ,  5E343GG02