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J-GLOBAL ID：200903003854474230

半導体発光素子

Inventor： 野崎 秀樹 ,  海野 和美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992247793
Publication number (International publication number)：1994097498
Application date： Sep. 17, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、光取り出し効率を向上させて、高輝度化を達成し得ることを目的とする。【構成】 この発明は、半導体基板2上に形成されたInGaAlPの混晶からなる発光層5と、発光層5に電流を供給する電極1,10と、半導体基板2と発光層5との間及び光取り出し側の電極10直下に配置形成され、異なる組成のIII -V族化合物層が交互に積層されて発光層5の放射光を反射する反射層3,9と、反射層3,9の間に、隣接する半導体層6,8と逆導電型に配置形成され、光取り出し側の電極10下方部分の発光層5に電流が流れることを抑制する電流ブロック層7とから構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたInGaAlPの混晶からなる発光層と、発光層に電流を供給する電極と、半導体基板と発光層との間及び光取り出し側の電極直下に配置形成され、異なる組成のIII -V族化合物層が交互に積層されて発光層の放射光を反射する反射層と、反射層の間に、隣接する半導体層と逆導電型に配置形成され、光取り出し側の電極下方部分の発光層に電流が流れることを抑制する電流ブロック層とを有することを特徴とする半導体発光素子。