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J-GLOBAL ID：200903003858099506

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
根岸 均

About 根岸 均


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 丸山 隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996247693
Publication number (International publication number)：1998092846
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【目的】 ゲート長の小さいゲートの支柱底部に精度良く支柱支えを形成して、ゲートはがれの率を改善し特性のバラツキを低減するT型ゲート電極を備えた電界効果型トランジスタを有する半導体装置を提供する。【構成】 T型ゲート電極の支柱支え部9を第2の絶縁膜により基板表面に設けた第1の絶縁膜にある開口部の側面に接する壁に形成し、その後第2の絶縁膜とエッチングレートが異なる第1の絶縁膜をエッチングし、精度よく支柱支え部9を形成する。
Claim 1：
T型ゲート電極を備えた電界効果型トランジスタを有する半導体装置において、前記T型ゲート電極の支柱を支える支柱支え部を有し、前記支柱支え部は、エッチングレートの異なる第2の絶縁膜を基板表面に設けた第1の絶縁膜にある開口部の側面に形成した後前記第1の絶縁膜を除去することにより形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (3)：
H01L 29/80 F ,  H01L 21/28 E ,  H01L 29/50 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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