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J-GLOBAL ID：200903003859473436

窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor：
小野村 正明

About 小野村 正明


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999029494
Publication number (International publication number)：2000228565
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】プロセスが容易で再現性にも優れ、ビーム特性に優れ、高出力低電流動作が可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された開口部からラテラルに成長形成された複数の窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなり、前記窒化物系半導体層からなるコンタクト層18と、このコンタクト層18上に形成された前記窒化物系半導体層からなる活性層14と、活性層14を挟むように形成された導電型の異なる前記窒化物系半導体層からなるクラッド層13,15とを具備し、活性層14およびクラッド層13,15は、複数の窒化物系半導体層中の、開口部上から横方向に、コンタクト層の膜厚以上離れて形成されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された開口部からラテラルに成長形成された複数の窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなり、窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなるコンタクト層と、このコンタクト層上に形成された窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなる活性層と、前記活性層を挟むように形成された導電型の異なる窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなるクラッド層とを具備し、前記活性層および前記クラッド層は、前記複数の窒化物系半導体層中の、前記開口部上から横方向に、前記コンタクト層の膜厚以上離れて形成されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (4)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/34
FI (4)：
H01S 3/18 673 ,  H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 664 ,  H01S 3/18 676
F-Term (15)：
5F073AA22 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073FA05 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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