プラズマ処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000073829
Publication number (International publication number)：2001259411
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Sep. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】有機物除去を効率的に行い残留有機物を減少させて良好な処理品質を確保することができるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】有機物である樹脂基板面10a面に処理対象部位である電極11が形成された基板10をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、処理空間内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態でプラズマ放電を発生させる。発生したイオンの物理的エッチング効果によって金メッキによる金膜12上のニッケル化合物層13を除去するとともに、発生した酸素ラジカルは有機物層14や樹脂基板面10aから飛散する有機物の粒子14aや10bと反応してガス化させる。これにより金膜12表面への有機物の付着を減少させ、有機物除去効率を改善することができる。

Claim (excerpt)：

有機物表面層を含む処理対象物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、処理空間内に前記処理対象物を載置し次いで処理空間内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態でプラズマ放電を発生させることにより、処理対象部位から有機物およびまたは無機物の除去対象物を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (8)：

B01J 19/08 , C23F 4/00 , H01L 21/302 , H05H 1/46 , H05K 3/26 , H01L 21/60 301 , H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (8)：

B01J 19/08 H , C23F 4/00 E , H05H 1/46 A , H05K 3/26 Z , H01L 21/60 301 N , H01L 21/60 311 S , H01L 21/302 , H01L 23/12 Z

F-Term (28)：

4G075AA24 , 4G075BA05 , 4G075BA06 , 4G075CA47 , 4G075CA62 , 4G075CA65 , 4G075DA18 , 4K057DA01 , 4K057DB03 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG08 , 4K057DN02 , 5E343AA12 , 5E343BB23 , 5E343BB44 , 5E343EE08 , 5E343EE46 , 5E343GG20 , 5F004AA13 , 5F004BB13 , 5F004CA02 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F044AA01 , 5F044AA02 , 5F044KK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

表面洗浄法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-066588 Applicant：三井化学株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120115 Applicant：株式会社プラズマシステム
ドライ洗浄方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347129 Applicant：セイコーエプソン株式会社, 森勇藏

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