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J-GLOBAL ID：200903003878920338

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 有本 由弘 ,  伊藤 隆司
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123615
Publication number (International publication number)：1993327127
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、InP 層に形成される素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、InP 層に形成される半導体素子の熱伝動率を大幅に向上させることを目的とする。【構成】炭化シリコン層2の上で該炭化シリコン層2よりも薄く形成されたインジウム燐層4に、半導体素子が形成されていることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

炭化シリコン層(2)の上で該炭化シリコン層(2)よりも薄く形成されたインジウム燐層(4)に、半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784