リン植え込みによりチャネルの不純物分布を退化させる半導体製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹本松司 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995346552
Publication number (International publication number)：1997162386
Application date： Dec. 04, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】リン植え込みによりチャネルの不純物分布を退化させる半導体製造方法の提供。【解決手段】犠牲酸化物層をシリコン基板上に形成し、閾値電圧を調整する植え込みを進行し、犠牲酸化物層を除去し、一つのゲート酸化物層を形成し、一つのゲートポリシリコン層を堆積し、ゲートポリシリコン層を定義及びエッチングしてゲートを形成し、第1次リン植え込みを行い、ライトリードウプトドレイン(LDD:Lightly Doped Drain)を形成し、チャネル中へと第2次リン植え込みを行い、チャネルの不純物分布曲線を退化させる。

Claim (excerpt)：

犠牲酸化物層をシリコン基板上に形成し、閾値電圧を調整する植え込みを進行し、犠牲酸化物層を除去し、一つのゲート酸化物層を形成し、一つのゲートポリシリコン層を堆積し、ゲートポリシリコン層を定義及びエッチングしてゲートを形成し、第1次リン植え込みを行い、ライトリードウプトドレイン(LDD:Lightly Doped Drain)を形成し、チャネル中へと第2次リン植え込みを行い、チャネルの不純物分布曲線を退化させ、以上のステップを包括するリン植え込みによりチャネルの不純物分布を退化させる半導体製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-006055 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開昭61-292963

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