Pat

J-GLOBAL ID：200903003880113270

プラズマCVD装置

Inventor： 中東 孝浩 ,  桑原 創 ,  土居 陽
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253775
Publication number (International publication number)：1993093276
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高周波電極に接地電極を対向させたプラズマCVD装置であって、成膜速度を大幅に低下させずに成膜へのパーティクル付着や混入を従来より防止できるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 高周波電極2と接地電極である基体ホルダ3を平行に対向配置した平行平板電極型プラズマCVD装置において、高周波電極2と基体ホルダ3との間にメッシュ状電極10を配置して、これに電源10aにて負電圧を印加できるようにし、高周波電極2にプラズマ密度を上げるための永久磁石Mを配置した。

Claim (excerpt)：

高周波電極と接地電極を対向させたプラズマCVD装置において、前記高周波電極と接地電極との間にメッシュ状電極を配置し、該メッシュ状電極に負電圧を印加できるように構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭63-067555
  
• 特公平2-049385
  
• 特公昭61-024467