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J-GLOBAL ID:200903003883653410

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007272016
Publication number (International publication number):2008135721
Application date: Oct. 19, 2007
Publication date: Jun. 12, 2008
Summary:
【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】第1の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第1の素子と、第2の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第2の素子とを有し、前記第1の素子と前記第2の素子は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第1の素子と、 第2の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第2の素子と、 を有し、 前記第1の素子と前記第2の素子は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/146
FI (4):
H01L27/12 B ,  H01L31/10 A ,  H01L21/20 ,  H01L27/14 C
F-Term (64):
4M118AA10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118FB30 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA26 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049MB12 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049PA03 ,  5F049PA11 ,  5F049RA08 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ11 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CE05 ,  5F152CE45 ,  5F152FF21 ,  5F152LL04 ,  5F152LP01 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM12 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ12 ,  5F152NQ13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (7)
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