半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007272016
Publication number (International publication number)：2008135721
Application date： Oct. 19, 2007
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：

【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】第1の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第1の素子と、第2の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第2の素子とを有し、前記第1の素子と前記第2の素子は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第1の素子と、第2の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第2の素子と、を有し、前記第1の素子と前記第2の素子は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 31/10 , H01L 21/20 , H01L 27/146

FI (4)：

H01L27/12 B , H01L31/10 A , H01L21/20 , H01L27/14 C

F-Term (64)：

4M118AA10 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA15 , 4M118CB05 , 4M118CB06 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB24 , 4M118FB30 , 4M118GC08 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 4M118HA26 , 5F049MA04 , 5F049MB05 , 5F049MB12 , 5F049NA19 , 5F049NB03 , 5F049PA03 , 5F049PA11 , 5F049RA08 , 5F049SE05 , 5F049SS01 , 5F049SZ06 , 5F049SZ11 , 5F049UA13 , 5F049UA14 , 5F049WA03 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CD17 , 5F152CE05 , 5F152CE45 , 5F152FF21 , 5F152LL04 , 5F152LP01 , 5F152LP09 , 5F152MM04 , 5F152MM12 , 5F152NN12 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ12 , 5F152NQ13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

国際公開第04/068582号パンフレット

Cited by examiner (7)

裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-073644 Applicant：ソニー株式会社
赤外線センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-052114 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-291554 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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