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J-GLOBAL ID：200903003884611517

マルチpHセンサおよびその製造方法

Inventor： 石田 誠 ,  河野 剛士 ,  芝田 学 ,  三村 享 ,  松本 浩一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人豊橋技術科学大学 ,  株式会社堀場製作所
Agent (5)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦 ,  今木 隆雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004153747
Publication number (International publication number)：2005337755
Application date： May. 24, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：

【課題】 試料のpHの分布状態を三次元的に把握するとともに、微小領域におけるpHの分布状態を、高い測定精度および優れた応答性をもって測定することが可能なマルチpHセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1を下地として結晶成長させた突起(プローブ)2を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブ2の表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度(pH)に感応する機能を有することを特徴とする。前記マルチpHセンサであって、異なる高さを有するプローブ2が配列されて形成されることを特徴とする。前記半導体基板1に、少なくとも1以上の増幅回路あるいは/および信号処理回路3を形成することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板を下地として結晶成長させた突起(プローブ)を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブの表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度(pH)に感応する機能を有することを特徴とするマルチpHセンサ。

IPC (3)：

G01N27/414 ,  G01N27/416 ,  G01N37/00

FI (5)：

G01N27/30 301R ,  G01N37/00 102 ,  G01N27/30 301W ,  G01N27/30 301V ,  G01N27/46 353Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ディスポーザブルイオンセンサユニット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302251   Applicant：株式会社日立製作所
• イオン濃度勾配測定装置およびこれを組み込んだ等電点電気泳動装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-084423   Applicant：株式会社堀場製作所

Cited by examiner (5)

• 特開昭61-014561
  
• プローブおよびこれを備えたセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-152654   Applicant：石田誠, 旭化成工業株式会社
• 生体試料用アレイ電極及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-090969   Applicant：日本電信電話株式会社
• 回路測定用端子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-008373   Applicant：株式会社東芝, 電気化学工業株式会社
• マイクロアレイカーボン電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-178633   Applicant：電気化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Selective Vapor-Liquid-Solid Epitaxial Growth of Micro-Si Probe Electrode Arrays With On-Chip MOSFET