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J-GLOBAL ID：200903003888781883

半導体装置の製造方法

Inventor： 白石 雅敏
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991243065
Publication number (International publication number)：1993082509
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 表面保護膜堆積によって生じた狭い領域にもポリイミドを完全に充填させ、半導体装置の高性能,高信頼性化をはかる。【構成】 表面保護膜堆積後のウエハに、ポリイミド前駆体をスピンコートする前に、ポリイミド前駆体よりも低粘度の有機溶剤をスピンコートする。そうすることによって、表面保護膜堆積後に生じた狭い領域に有機溶剤を充填させる。その後、ポリイミド前駆体を塗布し、その後のベーク,硬化の時の熱処理で有機溶剤とポリイミド前駆体を置換させ、最終の硬化が終了した時点で、空隙が発生することなくポリイミド膜を形成することが可能になる。

Claim (excerpt)：

表面保護膜形成後の半導体基板を、加熱して表面の水分を除去する工程と、有機溶剤をスピンコートする工程と、ポリイミド前駆体溶液をスピンコートする工程と、加熱により溶剤を一部揮発させる工程と、フォトリソ法により所定の場所のみ露光する工程と、現像により所定の場所のみポリイミド前駆体を残す工程と熱処理により前記ポリイミド前駆体をポリイミドに変える工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-232424
  
• 特開昭62-241333
  
• 特開平1-173719
  
• 特開平2-238650